Sistema de Deposição de Alto Vácuo Cintilador de Raios X (CsI), Resolução Espacial Ultra-Alta CsI de Revestimento de Imagem
CsI High Vacuum Deposition System é projetado exclusivamente para metalização de CsI em telas de cintilação em um ambiente de vácuo extremamente alto.
Os cintiladores CsI 200~600µm em faixas de espessura com alta uniformidade de espessura e desempenho de brilho.
Caracterizações de deposição de iodeto de césio (CsI):
Ultra-Alta Resolução Espacial de Imagem;
Resposta rápida para imagens mais nítidas;
Áreas de imagem de ponta a ponta;
Camadas de absorção óptica ou camadas refletoras;
Baixa dose de raios X do paciente;
Inscrição: para verificação e inspeção de segurança, educação física de alta energia, detecção de radiação nuclear e imagens médicas: exame de tórax, mamografia, dental inter oral e panorâmica.
Substratos Aplicados:Vidro TFT, placa de fibra óptica, placa de carbono amorfo, placa de alumínio
Características do equipamento:
Confiabilidade:
24/7 dias de operação ininterrupta;
Inficon Film Thickness Controller para monitorar a espessura do filme inline.
Precisão do controle de temperatura: ± 1 ℃, configuração de vários estágios, registro e controle automático de dados de temperatura
Cremalheiras rotativas equipadas com Servo-Motor para alta precisão e estabilidade.
Segurança:
Bomba de alto vácuo: Bomba Molecular de Suspensão Magnética, com dispositivo de sopro de gás nitrogênio para evitar que materiais perigosos sejam expostos no ar;
Todos os eletrodos estão equipados com mangas de proteção de segurança.
Repetibilidade e Reprodutibilidade:
Através do sistema de controle de parâmetros de alta precisão,
Software e programa de controle de processo automatizado,
Operação amigável ao usuário.
Eficiência:
O modelo CsI-950A+ é com estrutura de 2 racks rotativos com base no modelo Generation -one CsI-950.
Capacidade dupla para max.tamanho do substrato: 500x400mm.
Especificações técnicas
Descrição | CsI-950 |
CsI-950A+
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Câmara de deposição (mm)
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φ950 x H1350 |
φ950 x H1350
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Carregando racks rotativos | 1 | 2 |
Fontes de evaporação | 2 |
2
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Método de aquecimento |
Lâmpada de tungstênio de iodo Máx.800℃ |
Lâmpada de tungstênio de iodo Máx.800℃ |
Pressão de vácuo final (Pa) | 8,0×10-5Pa | 8,0×10-5Pa |
Bomba Molecular de Suspensão Magnética | 1 x 3400L/S |
1 x 3400L/S
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Bomba de raízes | 1 x 490m³/h |
1 x 490m³/h
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Bomba de Palheta Rotativa | 1 x 300m³/h |
1 x 300m³/h
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Controlador de Deposição | Controle de quartzo x 1 |
Controle de quartzo x 1
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Consumo de Energia (KW) |
Máx.Aproximadamente.62 Média aprox.32 |
Máx.Aproximadamente.65 Média aprox.35 |
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Equipamento de metalização a vácuo de iodeto de césio (Csl).