O Sistema de Deposição de Alto Vácuo CsI950 é projetado exclusivamente para metalização CsI e TII em telas de cintilação em um ambiente de vácuo extremamente alto.Os cintiladores CsI 200~600µm em faixas de espessura com alta uniformidade de espessura e desempenho de brilho:
Ultra-Alta Resolução Espacial de Imagem;
Resposta rápida para imagens mais nítidas;
Áreas de imagem de ponta a ponta;
Camadas de absorção óptica ou camadas refletoras;
Baixa dose de raios X do paciente.
Substratos Aplicados:Vidro TFT, placa de fibra óptica, placa de carbono amorfo, placa de alumínio
Inscrição:para verificação e inspeção de segurança, educação em física de alta energia, detecção de radiação nuclear e imagens médicas: exame de tórax, mamografia, inter oral e panorâmica dentária.
Vantagens técnicas
A Royal Technology fornece 2 modelos de máquina: CsI950 e CsI950A+
O modelo CsI950A+ é atualizado com base no CsI950 de 1ª geração, suas vantagens:
1. Eficiência
O modelo -CsI-950A+ é com estrutura de rack de 2 giros baseado no modelo Generation -one CsI-950.
-Dupla capacidade para max.tamanho do substrato: 500x400mm.
2. Repetibilidade e Reprodutibilidade
-Através do sistema de controle de parâmetros de alta precisão,
-Software e programa de controle de processo automatizado,
-Operação amigável.
3. Confiabilidade
-24/7 dias de operação ininterrupta;
-Inficon Film Thickness Controller para monitorar a espessura do filme inline.
-Precisão de controle de temperatura: ± 1 ℃, configuração de vários estágios, gravação e controle automático de dados de temperatura
-Racks rotativos equipados com Servo-Motor para alta precisão e estabilidade.
4. Segurança
-Bomba de alto vácuo: Bomba Molecular de Suspensão Magnética, com dispositivo de sopro de gás nitrogênio para evitar que materiais perigosos sejam expostos no ar;
-Todos os eletrodos estão equipados com mangas de proteção de segurança.
Parâmetros técnicos
| Descrição | CsI-950 |
CsI-950A+
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Câmara de deposição (mm)
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φ950 x H1350 |
φ950 x H1350
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| Carregando racks rotativos | 1 | 2 |
| Fontes de evaporação | 2 |
2
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| Método de aquecimento |
Lâmpada de tungstênio de iodo Máx.1800℃ |
Lâmpada de tungstênio de iodo Máx.1800℃ |
| Pressão de vácuo final (Pa) | 8,0×10-5Pa | 8,0×10-5Pa |
| Bomba Molecular de Suspensão Magnética | 1 x 3400L/S |
1 x 3400L/S
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| Bomba de raízes | 1 x 490m³/h |
1 x 490m³/h
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| Bomba de Palheta Rotativa | 1 x 300m³/h |
1 x 300m³/h
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| Controlador de Deposição | Controle de quartzo x 1 |
Controle de quartzo x 1
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| Consumo de Energia (KW) |
Máx.Aproximadamente.62 Média aprox.32 |
Máx.Aproximadamente.65 Média aprox.35 |
No local
Local: China
